-
1 МДП-транзистор с индуцированным каналом
Makarov: induced-channel IGFET ( insulated-gate field-effect transistor), induced-channel insulated-gate field-effect transistor (induced-channel IGFET)Универсальный русско-английский словарь > МДП-транзистор с индуцированным каналом
-
2 МДП-транзистор с индуцированным каналом
abbrmicroel. Anreicherungs-IFET, Anreicherungs-MISFET, Anreicherungstyp, Enhancement-FET, Enhancement-MIS-Transistor, Enhancement-MISFETУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с индуцированным каналом
-
3 МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа
abbrmicroel. n-Kanal Anreicherungs-MISFET, n-Kanal-Anreicherungs-MISFET, n-Kanal-Anreicherungstransistor, n-Kanal-AnreicherungstypУниверсальный русско-немецкий словарь > МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа
-
4 транзистор
м. transistor -
5 Anreicherungs-IFET
сущ.микроэл. МДП-транзистор с индуцированным каналом, МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения -
6 Anreicherungs-MISFET
сущ.микроэл. МДП-транзистор с индуцированным каналом, МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащенияУниверсальный немецко-русский словарь > Anreicherungs-MISFET
-
7 Anreicherungstyp
сущ.микроэл. МДП-транзистор с индуцированным каналом, МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения -
8 Enhancement-FET
сущ.микроэл. МДП-транзистор с индуцированным каналом, МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения -
9 Enhancement-MIS-Transistor
сущ.микроэл. МДП-транзистор с индуцированным каналом, МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащенияУниверсальный немецко-русский словарь > Enhancement-MIS-Transistor
-
10 Enhancement-MISFET
сущ.микроэл. МДП-транзистор с индуцированным каналом, МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения -
11 n-Kanal Anreicherungs-MISFET
сокр.микроэл. n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal Anreicherungs-MISFET
-
12 n-Kanal-Anreicherungs-MISFET
сокр.микроэл. n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Anreicherungs-MISFET
-
13 n-Kanal-Anreicherungstransistor
сокр.микроэл. n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Anreicherungstransistor
-
14 n-Kanal-Anreicherungstyp
сокр.микроэл. n-канальный МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типаУниверсальный немецко-русский словарь > n-Kanal-Anreicherungstyp
-
15 induced-channel IGFET (insulated-gate field-effect transistor)
Макаров: МДП-транзистор с индуцированным каналомУниверсальный англо-русский словарь > induced-channel IGFET (insulated-gate field-effect transistor)
-
16 induced-channel insulated-gate field-effect transistor (induced-channel IGFET)
Макаров: МДП-транзистор с индуцированным каналомУниверсальный англо-русский словарь > induced-channel insulated-gate field-effect transistor (induced-channel IGFET)
-
17 induced-channel IGFET
Макаров: (insulated-gate field-effect transistor) МДП-транзистор с индуцированным каналом -
18 induced-channel insulated-gate field-effect transistor
Макаров: (induced-channel IGFET) МДП-транзистор с индуцированным каналомУниверсальный англо-русский словарь > induced-channel insulated-gate field-effect transistor
-
19 Feldeffekt-Transistor des Anreicherungstyps
МДП-транзистор с обогащением канала [с индуцированным каналом], МДП-транзистор, работающий в режиме обогащенияDeutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Feldeffekt-Transistor des Anreicherungstyps
См. также в других словарях:
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
МОП-структура — (металл оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … … Википедия